Samsung desenvolve primeiro chip de memória flash com 900 camadas do mundo
A Samsung anunciou o desenvolvimento do primeiro chip de memória flash com 900 camadas, utilizando a técnica Cell Multi-Bonding (CMB) para unir dois wafers de silício de 450 camadas cada. A inovação visa atender à crescente demanda por armazenamento em servidores de IA, SSDs e smartphones, maximizando capacidade em espaço reduzido.
Tecnologia e inovação
A Samsung alcançou um marco histórico ao criar o primeiro protótipo de chip de memória flash com 900 camadas. A tecnologia, essencial para servidores de IA, SSDs e smartphones, utiliza a arquitetura de empilhamento vertical, pioneira da empresa desde 2013. Para atingir as 900 camadas, a Samsung empregou a técnica Cell Multi-Bonding (CMB), que consiste na fusão de dois wafers de silício independentes, cada um com 450 camadas. O processo, no entanto, envolve desafios significativos, como o empenamento e o desalinhamento das trilhas microscópicas durante a colagem.
Impacto no mercado de semicondutores
A inovação reforça a liderança da Samsung no setor de semicondutores e estabelece uma barreira competitiva contra rivais asiáticas. A memória flash NAND, utilizada no chip, é fundamental para o armazenamento de dados em dispositivos de alta performance. Com a crescente demanda por capacidade de armazenamento impulsionada pela inteligência artificial, a tecnologia de 900 camadas surge como uma solução para otimizar espaço físico sem comprometer a eficiência.