DDR6: Samsung, SK Hynix e Micron iniciam desenvolvimento com previsão de dobrar velocidade da memória RAM
Samsung, SK Hynix e Micron deram início ao desenvolvimento da memória DDR6, prometendo mais que dobrar as velocidades atuais do padrão DDR5, que atualmente atinge até 8,4 Gbps. A produção em massa, no entanto, só é esperada para 2028 ou 2029, com desafios técnicos em sinal e eficiência energética ainda em análise.
Desenvolvimento e cronograma
As três principais fabricantes de memória — Samsung, SK Hynix e Micron — já começaram o desenvolvimento inicial do padrão DDR6, compartilhando projetos preliminares com fabricantes de substratos para testes de protótipos. Embora o processo seja típico, com etapas iniciadas anos antes do lançamento, o JEDEC ainda não finalizou as especificações técnicas, como configuração de I/O e design físico. A previsão é que a produção em massa comece apenas entre 2028 e 2029, dependendo da superação de desafios técnicos.
Desafios técnicos e aplicações
A DDR6 visa superar o limite atual de 8,4 Gbps do DDR5, com expectativa de mais que dobrar essa velocidade. No entanto, o aumento de performance traz obstáculos como integridade de sinal e eficiência energética, exigindo colaboração antecipada entre fabricantes e parceiros. As áreas que mais se beneficiarão incluem IA, data centers e computação de alto desempenho, setores que já enfrentam escassez de memória RAM devido à alta demanda.
Custo e disponibilidade
A demanda por hardware de IA já elevou os preços da memória, e a DDR6, por ser uma tecnologia de ponta, não deve ser exceção. Analistas preveem que os custos iniciais serão altos, com possível estabilização apenas em 2027. A adoção em larga escala dependerá da resolução de questões técnicas e da finalização das especificações pelo JEDEC.